Datasheet IRF6720S2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETS1 — Даташит

Купить IRF6720S2TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 226 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
ChipWorker Весь мир	IRF6720S2TR1PBF Infineon	13 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF6720S2TR1PBF STMicroelectronics	от 226 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6720S2TR1PBF	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6720S2TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETS1

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97315
IRF6720S2TRPbF IRF6720S2TR1PbF
l l l l l l l l l
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Control FET Application Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: DirectFET L6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: DirectFET
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: S1
• Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
• Pulse Current Idm: 92 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть