Datasheet IRF6722MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET MP — Даташит
Наименование модели: IRF6722MTR1PBF
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7Pin Direct-FET MP T/R | |||
IRF6722MTR1PBF International Rectifier | 131 ₽ | ||
IRF6722MTR1PBF Infineon | по запросу | ||
IRF6722MTR1PBF Infineon | по запросу | ||
IRF6722MTR1PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET MP
Краткое содержание документа:
PD - 96136
IRF6722MPbF IRF6722MTRPbF
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Ultra Low Package Inductance l Optimized for High Frequency Switching l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for Control FET application l Low Conduction and Switching Losses l Compatible with existing Surface Mount Techniques l 100% Rg tested
l l
Typical values (unless otherwise specified)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 13 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 4.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 13 А
- Тип корпуса: MP
- Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
- Pulse Current Idm: 110 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1.4 В
RoHS: есть