Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IRLR3636PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH 60 В 50 А DPAK — Даташит

International Rectifier IRLR3636PBF

Наименование модели: IRLR3636PBF

12 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 99A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IRLR3636PBF
International Rectifier
по запросу
Augswan
Весь мир
IRLR3636PBF
Infineon
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRLR3636PBF
Infineon
по запросу
727GS
Весь мир
IRLR3636PBF
Infineon
по запросу
Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH 60 В 50 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96224
Applications l DC Motor Drive l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits
G
IRLR3636PbF IRLU3636PbF
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 6.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 2.5 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 99 А
  • Тип корпуса: D-PAK
  • Power Dissipation Pd: 143 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRLR3636PBF - International Rectifier MOSFET, N-CH 60 V 50 A DPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка