Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IRLU014NPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 55 В, 10 А, I-PAK — Даташит

International Rectifier IRLU014NPBF

Наименование модели: IRLU014NPBF

11 предложений от 11 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 55V 10A 3Pin(3+Tab) IPAK
727GS
Весь мир
IRLU014NPBF
Infineon
45 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRLU014NPBF
International Rectifier
74 ₽
Maybo
Весь мир
IRLU014NPBF
Infineon
126 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IRLU014NPBF
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 55 В, 10 А, I-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 94350
IRLR/U014N
HEXFET® Power MOSFET
Logic-Level Gate Drive Surface Mount (IRLR024N) Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 140 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 1 В
  • Корпус транзистора: I-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: I-PAK
  • Current Id Max: 10 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 5.3°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 140 МОм
  • Тип корпуса: IPAK
  • Power Dissipation Pd: 28 Вт
  • Pulse Current Idm: 40 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Panasonic - EYGA121807A
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet IRLU014NPBF - International Rectifier MOSFET, N, 55 V, 10 A, I-PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка