Datasheet IRFB3307PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 75 В, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IRFB3307PBF
 Купить IRFB3307PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 516 ₽39 предложений от 19 поставщиков MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 5 Milliohms; ID 130A; TO-220AB; PD 250W; gFS 98S | |||
| IRFB3307PBF Infineon | от 42 ₽ | ||
| IRFB3307PBF Infineon | 65 ₽ | ||
| IRFB3307PBF Infineon | от 217 ₽ | ||
| IRFB3307PBF Infineon | от 255 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 75 В, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 96901A
IRFB3307 IRFS3307 IRFSL3307
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
G S
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 130 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On Resistance Rds(on): 5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 120 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220AB
- Pin Format: 1 г
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Pulse Current Idm: 510 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 75 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
