Datasheet IRF6655TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 100 В, SH — Даташит

Купить IRF6655TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 114 до 3 234 ₽ 23 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,2А; 42Вт; DirectFET
ЧипСити Россия	IRF6655TR1PBF Infineon	134 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IRF6655TR1PBF Infineon	1 060 ₽	Купить
727GS Весь мир	IRF6655TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6655TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 100 В, SH

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97226A
DirectFET Power MOSFET
RoHs Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Ideal for Control FET sockets in 36V-75V in Synchronous Buck applications l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
IRF6655PbF IRF6655TRPbF

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 53 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: SH
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6655
• Current Id Max: 3.4 А
• Тип корпуса: SH
• Power Dissipation Pd: 2.2 мВт
• Pulse Current Idm: 34 А
• SMD Marking: 2.2
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.8 В
• Voltage Vgs th Min: 2.8 В

RoHS: есть