Datasheet IRF6655TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, SH — Даташит

Купить IRF6655TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 111 до 1 033 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 6Pin Direct-FET SH T/R
ChipWorker Весь мир	IRF6655TR1PBF International Rectifier	111 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6655TR1PBF Infineon	142 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF6655TR1PBF International Rectifier	от 317 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6655TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, SH

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96926D
DirectFET Power MOSFET
l
IRF6655
RDS(on)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 19 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 62 МОм
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: SH
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 530 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 37nC
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 4.85 мм
• Внешняя длина / высота: 0.7 мм
• Внешняя ширина: 3.95 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• IC Package (Case style): SH
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 62 МОм
• Тип корпуса: SH
• Power Dissipation Pd: 2.2 Вт
• Pulse Current Idm: 34 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 31 нс
• SMD Marking: 6655
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.8 В
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.8 В
• Voltage Vgs th Min: 2.8 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRF6655TR1PBF
• LICEFA - V11-7