Datasheet IXFH16N80P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH16N80P на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 3 752 ₽ 38 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarHVTM; полевой; 800В; 16А; 460Вт; TO247-3
Стандарт СИЗ Россия	IXFH16N80P (ST-STW11NM80) STMicroelectronics	62 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFH16N80P Littelfuse	324 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXFH16N80P IXYS	от 1 118 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IXFH16N80P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFH 16N80P IXFT 16N80P IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
VDSS = 800 V ID25 = 16 A RDS(on) 600 m trr 250 ns
TO-247 (IXFH) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS IDM, di/dt 100 A/s, VDD VDSS TJ 150°C, RG = 5 TC = 25°C Maximum Ratings 800 800 ±30 ±40 16 40 8 30 1.0 10 V V V V A A A mJ J V/ns

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 4000 пФ
• Current Id Max: 16 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.27°C/W
• N-channel Gate Charge: 70nC
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 460 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - WLK 5