HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IXTQ30N60L2 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO-3P — Даташит

IXYS IXTQ30N60L2

Наименование модели: IXTQ30N60L2

16 предложений от 10 поставщиков
IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ30N60L2 Power MOSFET, N Channel, 30A, 600V, 240mohm, 10V, 2.5V
T-electron
Россия и страны СНГ
IXTQ30N60L2
IXYS
635 ₽
ЧипСити
Россия
IXTQ30N60L2
IXYS
1 181 ₽
IXTQ30N60L2
IXYS
от 3 350 ₽
LifeElectronics
Россия
IXTQ30N60L2
IXYS
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO-3P

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Preliminary Technical Information
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA
N-Channel Enhancement Mode Avalanche rated
IXTH30N60L2 IXTQ30N60L2 IXTT30N60L2
VDSS ID25

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 240 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-3P
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 30 А
  • Power Dissipation Pd: 540 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • BERGQUIST - 3223-07FR-104NH
  • LAIRD TECHNOLOGIES - THER-T-LARGE
  • Multicomp - MK3305
  • ON Semiconductor - MC33153DG

На английском языке: Datasheet IXTQ30N60L2 - IXYS MOSFET, N CH, 600 V, 30 A, TO-3P

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России