Datasheet IXFR180N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXFR180N10

Наименование модели: IXFR180N10

Купить IXFR180N10 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 657 до 2 034 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 165A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
ЧипСити Россия	IXFR180N10 IXYS	1 657 ₽
ChipWorker Весь мир	IXFR180N10 IXYS	1 763 ₽
ЭлектроПласт Россия	IXFR180N10 IXYS	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IXFR180N10	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 180N10 VDSS = 100 ISOPLUS247TM ID25 = 165
(Electrically Isolated Back Surface) Single MOSFET Die
Preliminary data
RDS(on) =
V A 8 mW

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 165 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On State Resistance: 8 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: ISOPLUS-247
Количество выводов: 3
Capacitance Ciss Typ: 9400 пФ
Current Id Max: 165 А
Напряжение изоляции: 2.5 кВ
N-channel Gate Charge: 65nC
Тип корпуса: ISOPLUS-247
Power Dissipation Pd: 400 Вт
Pulse Current Idm: 720 А
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
Voltage Vds Typ: 100 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс
Rth: 0.3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A