Datasheet IXFT96N20P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268 — Даташит

Купить IXFT96N20P на РадиоЛоцман.Цены — от 480 до 1 930 ₽ 13 предложений от 9 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 96А; 600Вт; TO268
ЧипСити Россия	IXFT96N20P IXYS	480 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFT96N20P IXYS	505 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXFT96N20P IXYS	530 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFT96N20P IXYS	от 1 930 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-268

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFH 96N20P IXFT 96N20P IXFV 96N20P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 96 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On State Resistance: 24 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-268
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 4800 пФ
• Current Id Max: 96 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.25°C/W
• N-channel Gate Charge: 145nC
• Тип корпуса: TO-268
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A