Datasheet IXFV30N60PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 — Даташит

IXYS IXFV30N60PS

Наименование модели: IXFV30N60PS

Купить IXFV30N60PS на РадиоЛоцман.Цены — от 608 до 660 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin (2+Tab) PLUS220 SMD
ЧипСити Россия	IXFV30N60P IXYS	608 ₽
AiPCBA Весь мир	IXFV30N60P IXYS	647 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IXFV30N60P IXYS	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IXFV30N60P	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFH 30N60P IXFT 30N60P IXFV 30N60P IXFV 30N60PS
VDSS = 600 V ID25 = 30 A RDS(on) 240 m trr 200 ns
PLUS220 (IXFV) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s Plastic body for 10 s Mounting torque Mounting force TO-247 TO-268 PLUS220 (TO-247) (PLUS220) Test Conditions TJ = 25° C to 150° C TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C TC = 25° C, pulse width limited by TJM TC = 25° C TC = 25° C TC = 25° C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150° C, RG = 4 TC = 25° C Maximum Ratings 600 600 ±30 ±40 30 80 30 50 1.5 20 500 -55 ...

+150 150 -55 ... +150 300 260 V V V V A A A mJ J V/ns W °C °C °C °C °C

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 30 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 240 МОм
Корпус транзистора: PLUS220
Количество выводов: 3
Capacitance Ciss Typ: 4000 пФ
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.25°C/W
N-channel Gate Charge: 82nC
Тип корпуса: PLUS220
Power Dissipation Pd: 500 Вт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть