Datasheet IXKC20N60C - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

IXYS IXKC20N60C

Наименование модели: IXKC20N60C

Купить IXKC20N60C на РадиоЛоцман.Цены — от 460 до 2 947 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package
T-electron Россия и страны СНГ	IXKC20N60C IXYS	460 ₽
ЧипСити Россия	IXKC20N60C IXYS	657 ₽
AiPCBA Весь мир	IXKC20N60C IXYS	699 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IXKC20N60C	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
CoolMOSTM Power MOSFET IXKC 20N60C in ISOPLUS220TM Package
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode Low RDS(on), Superjunction MOSFET Preliminary Data Sheet
VDSS = 600 V ID25 = 14 A RDS(on) = 190 m
Symbol VDSS VGS ID25 ID90 ID(RMS) EAS EAR PD TJ TJM Tstg TL VISOL FC Weight

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 14 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 190 МОм
Корпус транзистора: ISOPLUS-220
Capacitance Ciss Typ: 3000 пФ
Напряжение изоляции: 2.5 кВ
N-channel Gate Charge: 79nC
Тип корпуса: ISOPLUS-220
Power Dissipation Pd: 125 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3.9 В
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Reverse Recovery Time trr Max: 610 нс
Rth: 1

RoHS: есть