Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IXTH20N60 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

IXYS IXTH20N60

Наименование модели: IXTH20N60

17 предложений от 11 поставщиков
МОП-транзистор 20 Amps 600V 0.35 Rds
Utmel
Весь мир
IXTH20N60
IXYS
от 53 ₽
Akcel
Весь мир
IXTH20N60
IXYS
от 53 ₽
ЧипСити
Россия
IXTH20N60
IXYS
813 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IXTH20N60
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MegaMOSTMFET
IXTH 20N60 IXTM 20N60
VDSS = 600 V = 20 A ID25 RDS(on) = 0.35
N-Channel Enhancement Mode
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM PD TJ TJM T stg Md Weight

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 350 МОм
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • Альтернативный тип корпуса: SOT-249
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 350 МОм
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 300 Вт
  • Pulse Current Idm: 80 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IXTH20N60 - IXYS MOSFET, N, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России