Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IXTY1R4N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит

IXYS IXTY1R4N60P

Наименование модели: IXTY1R4N60P

15 предложений от 9 поставщиков
IXTY1R4N60P Series 600 V 1.4 A 9 Ohm N-Channel Power Mosfet - TO-252, (D-Pak)
Utmel
Весь мир
IXTY1R4N60P
IXYS
от 36 ₽
Akcel
Весь мир
IXTY1R4N60P
IXYS
от 36 ₽
ЧипСити
Россия
IXTY1R4N60P
IXYS
94 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IXTY1R4N60P
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 9 Ом
  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 140 пФ
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.5°C/W
  • N-channel Gate Charge: 5.2nC
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 50 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
  • Тип транзистора: General Purpose
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 500 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IXTY1R4N60P - IXYS MOSFET, N, D-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России