ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BSH207,135 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 12 В 1.52 А SOT457 — Даташит

NXP BSH207,135

Наименование модели: BSH207,135

20 предложений от 14 поставщиков
NEXPERIA - BSH207,135 - MOSFET P-CH 12V 1.52A SOT457
Akcel
Весь мир
BSH207,135
Nexperia
от 3.49 ₽
Utmel
Весь мир
BSH207,135
Nexperia
от 3.50 ₽
ЧипСити
Россия
BSH207,135
NXP
32 ₽
BSH207,135
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор P-CH 12 В 1.52 А SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -1 А
  • Drain Source Voltage Vds: -12 В
  • On Resistance Rds(on): 120 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -600 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 417 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: -1.52 А
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: -12 В
  • Voltage Vgs Max: -600 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH207135, BSH207 135

На английском языке: Datasheet BSH207,135 - NXP MOSFET P-CH 12 V 1.52 A SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России