Datasheet BSP110,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.52 А, SOT223 — Даташит

Купить BSP110,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 48 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223. N-Channel 100V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ЧипСити Россия	BSP110,115 NXP	25 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	BSP110,115 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BSP110115 NXP	по запросу	Купить
727GS Весь мир	BSP110,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.52 А, SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP110
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

03 -- 26 July 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: BSP110 in SOT223.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 10 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 6.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 520 мА
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 130 В
• Voltage Vgs Max: 2 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP110115, BSP110 115