Datasheet BSP230,135 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 300 В 210 мА SOT223 — Даташит

Купить BSP230,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.71 до 103 ₽ 28 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, D-MOS, P Канал, 300 В, 210 мА, 17 Ом, SOT-223, Surface Mount
Онлайн Компоненты Россия	BSP230,135 Nexperia	от 103 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	BSP230,135 Nexperia	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSP230,135 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSP230,135 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор P-CH 300 В 210 мА SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP230 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of 1997 Jun 17 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Oct 21
Philips Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -170 мА
• Drain Source Voltage Vds: -300 В
• On Resistance Rds(on): 17 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.55 В
• Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -210 мА
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: -300 В
• Voltage Vgs Max: -2.8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP230135, BSP230 135