Datasheet BSP89,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 240 В, 375 мА, SOT223 — Даташит

Купить BSP89,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.86 до 70 ₽ 42 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
727GS Весь мир	BSP89,115 NXP	от 4.86 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP89,115-CUT TAPE NXP	14 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSP89,115 Nexperia	40 ₽	Купить
Эиком Россия	BSP89,115 Nexperia	от 46 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 240 В, 375 мА, SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D087
BSP89 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 340 мА
• Drain Source Voltage Vds: 240 В
• On Resistance Rds(on): 5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 373 мА
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 240 В
• Voltage Vgs Max: 2 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP89115, BSP89 115