Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSS123 - NXP Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23 — Даташит

NXP BSS123

Наименование модели: BSS123

61 предложений от 32 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 6000Емкость, пФ:...
ЗУМ-СМД
Россия
BSS123
Hottech
0.11 ₽
AliExpress
Весь мир
BAT54C, KL3, BAT54S, KL4, BAT54, KL1, BAT54A, KL2, BSS138, J1, BSS84, PD BSS123, SA, bab99, A7, BAW56, A1, bab70, A4, BAS16, A6, SOT-23
0.32 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BSS123
Hottech
1.47 ₽
BSS123A
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
FEATURES
· 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 150 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 150 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Pulse Current Idm: 600 мА
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.8 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSS123 - NXP N CHANNEL MOSFET, 150 mA, 100 V, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России