Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BSS123 - NXP Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23 — Даташит

NXP BSS123

Наименование модели: BSS123

68 предложений от 36 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW Tape & Reel (TR) — SST3)...
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
BSS123
Hottech
0.70 ₽
Триема
Россия
BSS123
3.00 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
BSS123-G
6.09 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BSS123
по запросу
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
FEATURES
· 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 150 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 150 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Pulse Current Idm: 600 мА
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.8 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSS123 - NXP N CHANNEL MOSFET, 150 mA, 100 V, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка