На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet BUK625R0-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 87 А, SOT428 — Даташит

NXP BUK625R0-40C

Наименование модели: BUK625R0-40C

13 предложений от 10 поставщиков
NEXPERIA BUK625R0-40C - 90A, 40V
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK625R0-40C.118
Nexperia
41 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK625R0-40C,118-NXP
NXP
92 ₽
ЧипСити
Россия
BUK625R0-40C,118
NXP
119 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
BUK625R0-40C
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 87 А, SOT428

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK625R0-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

1 -- 17 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 90 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 4.1 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
  • Рассеиваемая мощность: 158 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 90 А
  • Voltage Vgs Max: 16 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK625R040C, BUK625R0 40C

На английском языке: Datasheet BUK625R0-40C - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 87 A, SOT428

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России