Datasheet BUK652R0-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78 — Даташит

Купить BUK652R0-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 9 616 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков Compliant No SVHC 2.3 V TO-220AB 3 306 W 2.3 V 306 W
ChipWorker Весь мир	BUK652R0-30C,127 NXP	101 ₽	Купить
Триема Россия	BUK652R0-30C-VB	142 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK652R0-30C,127 NXP	188 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BUK652R030C.127	9 616 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK652R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

01 -- 6 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 1.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 120 А
• Power Dissipation Pd: 306 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
• Fairchild - FDMC8200
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK652R030C, BUK652R0 30C