OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet BUK652R6-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT78 — Даташит

NXP BUK652R6-40C

Наименование модели: BUK652R6-40C

10 предложений от 10 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
AiPCBA
Весь мир
BUK652R6-40C,127
NXP
148 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK652R6-40C,127
NXP
148 ₽
Akcel
Весь мир
BUK652R6-40C,127
Nexperia
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
BUK652R6-40C,127
NXP
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT78

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK652R6-40C
N-channel TrenchMOS FET
Rev.

02 -- 16 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 2.32 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 120 А
  • Power Dissipation Pd: 263 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • VISHAY SILICONIX - SI7938DP-T1-GE3

Варианты написания:

BUK652R640C, BUK652R6 40C

На английском языке: Datasheet BUK652R6-40C - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 120 A, SOT78

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России