Datasheet BUK652R7-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78 — Даташит

Купить BUK652R7-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 6 281 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков N-channel TrenchMOS intermediate level FET
727GS Весь мир	BUK652R7-30C,127 NXP	от 27 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BUK652R7-30C,127 NXP	65 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BUK652R7-30C NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BUK652R7-30C,127 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK652R7-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

02 -- 16 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 2.72 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 204 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
• Fairchild - FDMC8200
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK652R730C, BUK652R7 30C