HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BUK653R7-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78 — Даташит

NXP BUK653R7-30C

Наименование модели: BUK653R7-30C

14 предложений от 12 поставщиков
Compliant No SVHC 2.3 V TO-220AB 3 158 W 2.3 V 158 W
LIXINC Electronics
Весь мир
BUK653R7-30C,127
NXP
от 56 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK653R7-30C127
NXP
65 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK653R730C.127
4 888 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BUK653R7-30C127
NXP
по запросу
Пленочные конденсаторы Hongfa для источников питания и силовой электроники (Материалы вебинара)

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK653R7-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

3 -- 13 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 3.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 158 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
  • Fairchild - FDMC8200
  • Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK653R730C, BUK653R7 30C

На английском языке: Datasheet BUK653R7-30C - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 100 A, SOT78

Электронные компоненты. Скидки 20%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring