Datasheet BUK655R0-75C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 98 А, SOT78 — Даташит
Наименование модели: BUK655R0-75C
![]() 14 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, TO-220AB N-CH 75V 120A | |||
BUK655R0-75C NXP | 82 ₽ | ||
BUK655R0-75C,127 NXP | 84 ₽ | ||
BUK655R0-75C | по запросу | ||
BUK655R0-75C NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 98 А, SOT78
Краткое содержание документа:
BUK655R0-75C
N-channel TrenchMOS FET
Rev.
02 -- 14 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On State Resistance: 4.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 263 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK655R075C, BUK655R0 75C