Datasheet BUK663R5-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404 — Даташит
Наименование модели: BUK663R5-30C
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, D2PAK N-CH 30V 100A | |||
BUK663R5-30C,118 NXP | 32 ₽ | ||
BUK663R5-30C118 NXP | 66 ₽ | ||
BUK663R5-30C NXP | 82 ₽ | ||
BUK663R5-30C,118 NXP | 100 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404
Краткое содержание документа:
BUK663R5-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
02 -- 16 November 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 2.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 158 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fairchild - FDMC8200
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK663R530C, BUK663R5 30C