Datasheet BUK7880-55 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В SOT223 — Даташит

Купить BUK7880-55 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.54 до 50 ₽ 39 предложений от 22 поставщиков MOSFET N-CH 55V 7A SOT223. N-Channel 55V 7A (Tc) 8W (Tc) Surface Mount SOT-223. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Рутоника Россия и страны СНГ	BUK7880-55A/CUX Nexperia	7.91 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BUK7880-55A/CUX NXP	9.93 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	BUK7880-55A/CUX Nexperia	от 13 ₽	Купить
SUV System Весь мир	BUK7880-55,135 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOSTM transistor Standard level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting.

Using 'trench' technolgy the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in automotive and general purpose switching applications.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 7.5 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BUK788055, BUK7880 55