Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BUK9535-55A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 34 А SOT78 — Даташит

NXP BUK9535-55A

Наименование модели: BUK9535-55A

22 предложений от 15 поставщиков
NXP BUK9535-55A MOSFET Transistor, N Channel, 34A, 55V, 32mohm, 10V, 1.5V
AiPCBA
Весь мир
BUK9535-55A127
NXP
22 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK9535-55A127
NXP
22 ₽
Триема
Россия
BUK9535-55A TO220 NXP
405 ₽
ТаймЧипс
Россия
BUK953555A127
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 34 А SOT78

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS transistor Logic level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope available in TO220AB and SOT404 .

Using 'trench' technology which features very low on-state resistance. It is intended for use in automotive and general purpose switching applications.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 34 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 32 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 10 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-78A
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 34 А
  • Тип корпуса: SOT-78A
  • Power Dissipation Pd: 85 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BUK953555A, BUK9535 55A

На английском языке: Datasheet BUK9535-55A - NXP MOSFET, N CH 55 V 34 A SOT78

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России