Datasheet BUK9Y30-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 75 В 34 А SOT669 — Даташит

Купить BUK9Y30-75B на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 98 ₽ 26 предложений от 16 поставщиков N-Channel 75 V 30 mOhm Surface Mount Logic Level MOSFET - LFPAK-4
T-electron Россия и страны СНГ	BUK9Y30-75B.115 Nexperia	42 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BUK9Y30-75B,115 NXP	47 ₽	Купить
Utmel Весь мир	BUK9Y30-75B Philips	от 54 ₽	Купить
Flash-Turtle Весь мир	BUK9Y30-75B,115 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 75 В 34 А SOT669

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y30-75B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 10 April 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 34 А
• Drain Source Voltage Vds: 75 В
• On Resistance Rds(on): 28 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 85 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 34 А
• Тип корпуса: SOT-669
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 75 В
• Voltage Vgs Max: 15 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y3075B, BUK9Y30 75B