Datasheet PHK12NQ03LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Производитель | NXP |
Серия | PHK12NQ03LT |
Datasheets
Цены
Купить PHK12NQ03LT на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 65 ₽ 24 предложений от 18 поставщиков МОП-транзистор TAPE13 МОП-транзистор | |||
PHK12NQ03LT,518 Nexperia | от 15 ₽ | ||
PHK12NQ03LT,518 Nexperia | от 16 ₽ | ||
PHK12NQ03LT NXP | 62 ₽ | ||
PHK12NQ03LT,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Наименование модели: PHK12NQ03LT
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
PHK12NQ03LT
N-channel TrenchMOSTM logic level FET
M3D315
Rev.
02 -- 02 March 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 14 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 11.8 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 35.3 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: PHK12NQ03LT
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
Модельный ряд
Серия: PHK12NQ03LT (1)