Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet PMR400UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.8 А, SOT416 — Даташит

NXP PMR400UN,115

Наименование модели: PMR400UN,115

9 предложений от 8 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
PMR400UN,115
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMR400UN115
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PMR400UN,115
NXP
по запросу
Maybo
Весь мир
PMR400UN,115
NXP
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.8 А, SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMR400UN
N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D173
Rev.

01 -- 3 March 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 200 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 480 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 530 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 800 мА
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMR400UN115, PMR400UN 115

На английском языке: Datasheet PMR400UN,115 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 0.8 A, SOT416

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка