Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet PMR400UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.8 А, SOT416 — Даташит

NXP PMR400UN,115

Наименование модели: PMR400UN,115

10 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416. N-Channel 30V 800mA (Tc) 530mW (Tc) Surface Mount SC-75. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
727GS
Весь мир
PMR400UN,115
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMR400UN115
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PMR400UN,115
NXP
по запросу
Maybo
Весь мир
PMR400UN,115
NXP
по запросу
Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.8 А, SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMR400UN
N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D173
Rev.

01 -- 3 March 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 200 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 480 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 530 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 800 мА
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMR400UN115, PMR400UN 115

На английском языке: Datasheet PMR400UN,115 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 0.8 A, SOT416

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка