Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PSMN039-100YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 28.1 А, LFPAK — Даташит

NXP PSMN039-100YS

Наименование модели: PSMN039-100YS

22 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28,1А; Idm: 112А; 74Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN039-100YS.115
Nexperia
24 ₽
AliExpress
Весь мир
PSMN039-100YS 39100
29 ₽
PSMN039-100YS,115
Nexperia
от 78 ₽
Akcel
Весь мир
PSMN039-100YS,115
Nexperia
от 1 020 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 28.1 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN039-100YS
N-channel LFPAK 100 V 39.5 m standard level MOSFET
Rev.

02 -- 2 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 30.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • Current Id Max: 28.1 А
  • Power Dissipation Pd: 74 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • CIRCUITWORKS - CW8100

Варианты написания:

PSMN039100YS, PSMN039 100YS

На английском языке: Datasheet PSMN039-100YS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 28.1 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России