OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet 2N7002E,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 385 мА, 3-SOT-23 — Даташит

NXP 2N7002E,215

Наименование модели: 2N7002E,215

20 предложений от 14 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
AiPCBA
Весь мир
2N7002E215
NXP
3.86 ₽
Элитан
Россия
2N7002E,215
NXP
27 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
2N7002E.215
326 ₽
2N7002E.215
Fairchild
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 385 мА, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2N7002E
N-channel TrenchMOS FET
Rev.

03 -- 28 April 2006 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 385 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 780 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

2N7002E215, 2N7002E 215

На английском языке: Datasheet 2N7002E,215 - NXP MOSFET, N CH, 60 V, 385 mA, 3-SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка