Datasheet BSP100,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6 А, 4-SOT-223 — Даташит

Купить BSP100,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 59 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
ChipWorker Весь мир	BSP100135 NXP	23 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP100135 NXP	23 ₽	Купить
ЭИК Россия	BSP100,135 NXP	44 ₽	Купить
Flash-Turtle Весь мир	BSP100,135 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6 А, 4-SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode TrenchMOSTM transistor
FEATURES
· 'Trench' technology · Low on-state resistance · Fast switching · High thermal cycling performance · Low thermal resistance

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP100135, BSP100 135