Datasheet PHT8N06LT,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 7.5 А, 4-SOT-223 — Даташит

NXP PHT8N06LT,135

Наименование модели: PHT8N06LT,135

Купить PHT8N06LT,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 2 752 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 55В 7.5А 1.8Вт
Стандарт СИЗ Россия	PHT8N06LT,135 NXP	12 ₽
Триема Россия	PHT8N06LT,135 Nexperia	20 ₽
AiPCBA Весь мир	PHT8N06LT135 NXP	34 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PHT8N06LT.135 NXP	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 7.5 А, 4-SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOSTM transistor Logic level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting.

The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 7.5 А
Drain Source Voltage Vds: 55 В
On Resistance Rds(on): 65 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

WAKEFIELD SOLUTIONS - 217-36CTRE6

Варианты написания:

PHT8N06LT135, PHT8N06LT 135