Datasheet PHT8N06LT,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 7.5 А, 4-SOT-223 — Даташит

Купить PHT8N06LT,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 250 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
ЧипСити Россия	PHT8N06LT,135 NXP	25 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	PHT8N06LT,135 NXP	25 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	PHT8N06LT,135	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PHT8N06LT,135	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 7.5 А, 4-SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOSTM transistor Logic level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting.

The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 65 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 217-36CTRE6

Варианты написания:

PHT8N06LT135, PHT8N06LT 135