Datasheet PSMN8R2-80YS,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 82 А, 4-SOT-669 — Даташит
Наименование модели: PSMN8R2-80YS,115
![]() 32 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт | |||
PSMN8R2-80YS,115 Intel | 33 ₽ | ||
PSMN8R2-80YS,115 Nexperia | от 71 ₽ | ||
PSMN8R2-80YS,115 Nexperia | от 112 ₽ | ||
PSMN8R2-80YS,115 Nexperia | 115 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 82 А, 4-SOT-669
Краткое содержание документа:
PSMN8R2-80YS
N-channel LFPAK 80 V 8.5 m standard level MOSFET
Rev.
01 -- 25 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 82 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 5.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PSMN8R280YS,115, PSMN8R2 80YS,115, PSMN8R2-80YS115, PSMN8R2-80YS 115