Datasheet PHK4NQ20T - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHK4NQ20T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D315
Rev.

01 -- 20 January 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On State Resistance: 130 МОм
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 6.25 Вт
• Pulse Current Idm: 16 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHK4NQ20T
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть