Datasheet 2SK2220-E - Renesas Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

Подробное описание

Производитель: Renesas

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2SK2220, 2SK2221
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1004-0200 (Previous: ADE-208-1352) Rev.2.00 Sep 07, 2005
Application
Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8 А
• Drain Source Voltage Vds: 180 В
• On State Resistance: 1.5 Ом
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 8 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3P
• Pin Format: 1 г
• Power Dissipation Pd: 100 Вт
• Pulse Current Idm: 8 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.45 В
• Voltage Vds Typ: 180 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

2SK2220E, 2SK2220 E