Datasheet BSS123LT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить BSS123LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 1.10 до 31 ₽ 66 предложений от 26 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 170 мА, 6 Ом, SOT-23, Surface Mount
Элрус Россия	BSS123LT1G ON Semiconductor	от 4.32 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	BSS123LT1G	от 7.00 ₽	Купить
Maybo Весь мир	BSS123LT1G ON Semiconductor	31 ₽	Купить
МосЧип Россия	BSS123LT1G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 170 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В постоянного тока
• Voltage Vgs Max: 20 В постоянного тока
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 170 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 225 мВт
• Pulse Current Idm: 680 мА
• SMD Marking: SA
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.8 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901