Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet RJK1056DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 100 В, 25 А, LFPAK — Даташит

Renesas RJK1056DPB

Наименование модели: RJK1056DPB

15 предложений от 9 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Akcel
Весь мир
RJK1056DPB
Renesas
от 70 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
RJK1056DPB-00#J5
Renesas
104 ₽
ChipWorker
Весь мир
RJK1056DPB-00#J5
Renesas
221 ₽
RJK1056DPB-00#J5
Renesas
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Renesas

Описание: Полевой транзистор.N CH, 100 В, 25 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 11 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 5
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 25 А
  • Power Dissipation Pd: 65 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet RJK1056DPB - Renesas MOSFET.N CH, 100 V, 25 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России