Datasheet NTD2955G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, P CH, 60 В, 12 А, D-PAK — Даташит

ON Semiconductor NTD2955G

Наименование модели: NTD2955G

Купить NTD2955G на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 2 294 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Akcel Весь мир	NTD2955G ON Semiconductor	от 18 ₽
ChipWorker Весь мир	NTD2955G ON Semiconductor	42 ₽
ЧипСити Россия	NTD2955G ON Semiconductor	79 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	NTD2955G	2 294 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, P CH, 60 В, 12 А, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTD2955, NTD2955P, NVD2955 Power MOSFET
-60 V, -12 A, P-Channel DPAK
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

Designed for low-voltage, high- speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
Features http://onsemi.com
V(BR)DSS -60 V RDS(on) TYP 155 mW @ -10 V, 6 A ID MAX -12 A

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -12 А
Drain Source Voltage Vds: -60 В
On Resistance Rds(on): 0.155 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-252
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Рассеиваемая мощность: 55 Вт
RoHS: да
SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)