KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet QS5U17TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В — Даташит

Rohm QS5U17TR

Наименование модели: QS5U17TR

30 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 2 А, 0.154 Ом, TSMT, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
QS5U17TR
Rohm
14 ₽
Akcel
Весь мир
QS5U17TR
Rohm
от 16 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
QS5U17TR
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
QS5U17-TR
Rohm
по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS5U17
Transistors
2.5V Drive Nch+SBD MOS FET
QS5U17
Structure Silicon N-channel MOSFET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 154 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 175 пФ
  • Fall Time tf: 8 нс
  • Тип корпуса: TSMT5
  • Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
  • Power Dissipation Pd: 900 мВт
  • Pulse Current Idm: 8 А
  • Rise Time: 10 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet QS5U17TR - Rohm MOSFET, N, VGS -2.5 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России