Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet RTQ020N03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В — Даташит

Rohm RTQ020N03TR

Наименование модели: RTQ020N03TR

20 предложений от 8 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 2 А, 0.194 Ом, TSMT, Surface Mount
Akcel
Весь мир
RTQ020N03TR
Rohm
от 6.45 ₽
AiPCBA
Весь мир
RTQ020N03TR
9.82 ₽
Acme Chip
Весь мир
RTQ020N03TR
Rohm
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
RTQ020N03TR
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RTQ020N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTQ020N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 194 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 135 пФ
  • Fall Time tf: 9 нс
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Pin Configuration: D(1+2+5+6), S(4), G(3)
  • Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
  • Pulse Current Idm: 8 А
  • Rise Time: 11 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet RTQ020N03TR - Rohm MOSFET, N, VGS -2.5 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России