Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet QS6U22TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Rohm QS6U22TR

Наименование модели: QS6U22TR

15 предложений от 8 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 1.5 А, 0.43 Ом, TSMT, Surface Mount
Utmel
Весь мир
QS6U22TR
Rohm
от 3.36 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
QS6U22TR
Rohm
13 ₽
AiPCBA
Весь мир
QS6U22TR
26 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
QS6U22TR
по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS6U22
Transistors
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U22
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 430 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 270 пФ
  • Fall Time tf: 20 нс
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
  • Power Dissipation Pd: 900 мВт
  • Pulse Current Idm: 6 А
  • Rise Time: 12 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: -2 В
  • Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet QS6U22TR - Rohm MOSFET, P, VGS -2.5 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России