Datasheet STB55NF06T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 60 В 50 А D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB55NF06T4
Купить STB55NF06T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.05 до 269 ₽ 34 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 110Вт; D2PAK | |||
STB55NF06T4 STMicroelectronics | 9.05 ₽ | ||
STB55NF06T4 STMicroelectronics | 25 ₽ | ||
STB55NF06T4 STMicroelectronics | от 43 ₽ | ||
STB55NF06T4 STMicroelectronics | от 104 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 60 В 50 А D2PAK
Краткое содержание документа:
STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP
N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB55NF06 STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP VDSS 60V 60V 60V 60V RDS(on) <0.018 <0.018 <0.018 <0.018 ID 50A
3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 27.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 15 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 50 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 110 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть