Datasheet STD3NK50Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 500 В 2.3 А IPAK — Даташит
Наименование модели: STD3NK50Z-1
![]() 45 предложений от 22 поставщиков STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V | |||
STD3NK50Z-1 STMicroelectronics | 23 ₽ | ||
STD3NK50Z-1 STMicroelectronics | от 38 ₽ | ||
STD3NK50Z-1 Texas Instruments | по запросу | ||
STD3NK50Z-1 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 500 В 2.3 А IPAK
Краткое содержание документа:
STQ3NK50ZR-AP STD3NK50Z - STD3NK50Z-1
N-CHANNEL 500V - 2.8 - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STQ3NK50ZR-AP STD3NK50Z STD3NK50Z-1
s s s s s s
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.15 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 2.8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: I-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 2.3 А
- Тип корпуса: IPAK
- Power Dissipation Pd: 45 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
STD3NK50Z1, STD3NK50Z 1