Datasheet STD5NK40Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK — Даташит

Купить STD5NK40Z-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 469 ₽ 40 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 В, 3 А, 1.47 Ом, TO-251AA, Through Hole
ChipWorker Весь мир	STD5NK40Z-1 STMicroelectronics	57 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STD5NK40Z-1 STMicroelectronics	от 89 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	STD5NK40Z-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STD5NK40Z-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP5NK40Z - STP5NK40ZFP STD5NK40Z - STD5NK40Z-1
N-CHANNEL 400V - 1.47 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP5NK40Z STP5NK40ZFP STD5NK40Z STD5NK40Z-1
s s s s s s
VDSS 400 400 400 400 V V V V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 400 В
• On State Resistance: 1.47 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: I-PAK
• Current Id Max: 3 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 11 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 45 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 45 Вт
• Pulse Current Idm: 12 А
• Rise Time: 6 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Время выключения: 22.5 нс
• Время включения: 9.2 нс
• Voltage Vds: 400 В
• Voltage Vds Typ: 400 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

STD5NK40Z1, STD5NK40Z 1