Datasheet STP80NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP80NF10 на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 393 ₽ 63 предложений от 27 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 40 А, 0.012 Ом, TO-220FP, Through Hole
Элитан Россия	STP80NF10 STMicroelectronics	149 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	STP80NF10FP STMicroelectronics	от 158 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STP80NF10FP STMicroelectronics	248 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	STP80NF10 STMicroelectronics	от 393 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP80NF10 STB80NF10
N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A - TO-220/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFETTMII MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STB80NF10 STP80NF10
s s s s

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 80 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 15 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 200mJ
• Capacitance Ciss Typ: 5500 пФ
• Current Id Max: 80 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 15 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Pin Configuration: А
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 300 Вт
• Pulse Current Idm: 320 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 106 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5